قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI4884BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
رقم القطعة
SI4884BDY-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
16.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
3V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1525pF @ 15V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 39858 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لSI4884BDY-T1-GE3
SI4884BDY-T1-GE3 مكونات الكترونية
SI4884BDY-T1-GE3 مبيعات
SI4884BDY-T1-GE3 المورد
SI4884BDY-T1-GE3 موزع
SI4884BDY-T1-GE3 جدول البيانات
SI4884BDY-T1-GE3 الصور
SI4884BDY-T1-GE3 سعر
SI4884BDY-T1-GE3 يعرض
SI4884BDY-T1-GE3 أقل سعر
SI4884BDY-T1-GE3 يبحث
SI4884BDY-T1-GE3 شراء
SI4884BDY-T1-GE3 رقاقة