قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI4892DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8.8A 8-SOIC
رقم القطعة
SI4892DY-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.6W (Ta)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
8.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
12 mOhm @ 12.4A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
800mV @ 250µA (Min)
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10.5nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 9585 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لSI4892DY-T1-GE3
SI4892DY-T1-GE3 مكونات الكترونية
SI4892DY-T1-GE3 مبيعات
SI4892DY-T1-GE3 المورد
SI4892DY-T1-GE3 موزع
SI4892DY-T1-GE3 جدول البيانات
SI4892DY-T1-GE3 الصور
SI4892DY-T1-GE3 سعر
SI4892DY-T1-GE3 يعرض
SI4892DY-T1-GE3 أقل سعر
SI4892DY-T1-GE3 يبحث
SI4892DY-T1-GE3 شراء
SI4892DY-T1-GE3 رقاقة