قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI4913DY-T1-GE3

SI4913DY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8-SOIC
رقم القطعة
SI4913DY-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
أقصى القوة
1.1W
حزمة جهاز المورد
8-SO
نوع فيت
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
7.1A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
15 mOhm @ 9.4A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
1V @ 500µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
65nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 43871 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI4913DY-T1-GE3
SI4913DY-T1-GE3 مكونات الكترونية
SI4913DY-T1-GE3 مبيعات
SI4913DY-T1-GE3 المورد
SI4913DY-T1-GE3 موزع
SI4913DY-T1-GE3 جدول البيانات
SI4913DY-T1-GE3 الصور
SI4913DY-T1-GE3 سعر
SI4913DY-T1-GE3 يعرض
SI4913DY-T1-GE3 أقل سعر
SI4913DY-T1-GE3 يبحث
SI4913DY-T1-GE3 شراء
SI4913DY-T1-GE3 رقاقة