شراء Vishay Siliconix SI4922BDY-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

SI4922BDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

رقم القطعة

SI4922BDY-T1-GE3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

TrenchFET®

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Digi-Reel®

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

أقصى القوة

3.1W

حزمة جهاز المورد

8-SO

نوع فيت

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

Standard

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

30V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

Rds On (Max) @ Id، Vgs

16 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1.8V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

62nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2070pF @ 15V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 48113 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

SI4900DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC