قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI4925DDY-T1-GE3

SI4925DDY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
رقم القطعة
SI4925DDY-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
أقصى القوة
5W
حزمة جهاز المورد
8-SO
نوع فيت
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Standard
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
8A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
29 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
3V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
50nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1350pF @ 15V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 16631 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI4925DDY-T1-GE3
SI4925DDY-T1-GE3 مكونات الكترونية
SI4925DDY-T1-GE3 مبيعات
SI4925DDY-T1-GE3 المورد
SI4925DDY-T1-GE3 موزع
SI4925DDY-T1-GE3 جدول البيانات
SI4925DDY-T1-GE3 الصور
SI4925DDY-T1-GE3 سعر
SI4925DDY-T1-GE3 يعرض
SI4925DDY-T1-GE3 أقل سعر
SI4925DDY-T1-GE3 يبحث
SI4925DDY-T1-GE3 شراء
SI4925DDY-T1-GE3 رقاقة