قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI5433BDC-T1-GE3

SI5433BDC-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
رقم القطعة
SI5433BDC-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SMD, Flat Lead
حزمة جهاز المورد
1206-8 ChipFET™
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.3W (Ta)
نوع فيت
P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
37 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
1V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
22nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
1.8V, 4.5V
في جي إس (الحد الأقصى)
±8V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 46462 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI5433BDC-T1-GE3
SI5433BDC-T1-GE3 مكونات الكترونية
SI5433BDC-T1-GE3 مبيعات
SI5433BDC-T1-GE3 المورد
SI5433BDC-T1-GE3 موزع
SI5433BDC-T1-GE3 جدول البيانات
SI5433BDC-T1-GE3 الصور
SI5433BDC-T1-GE3 سعر
SI5433BDC-T1-GE3 يعرض
SI5433BDC-T1-GE3 أقل سعر
SI5433BDC-T1-GE3 يبحث
SI5433BDC-T1-GE3 شراء
SI5433BDC-T1-GE3 رقاقة