قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI5456DU-T1-GE3

SI5456DU-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
رقم القطعة
SI5456DU-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-PowerVDFN
حزمة جهاز المورد
8-PowerPak® ChipFet (3x1.9)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
10 mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1200pF @ 10V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 39654 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI5456DU-T1-GE3
SI5456DU-T1-GE3 مكونات الكترونية
SI5456DU-T1-GE3 مبيعات
SI5456DU-T1-GE3 المورد
SI5456DU-T1-GE3 موزع
SI5456DU-T1-GE3 جدول البيانات
SI5456DU-T1-GE3 الصور
SI5456DU-T1-GE3 سعر
SI5456DU-T1-GE3 يعرض
SI5456DU-T1-GE3 أقل سعر
SI5456DU-T1-GE3 يبحث
SI5456DU-T1-GE3 شراء
SI5456DU-T1-GE3 رقاقة