قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI6443DQ-T1-GE3

SI6443DQ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
رقم القطعة
SI6443DQ-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-TSSOP
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.05W (Ta)
نوع فيت
P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
7.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
12 mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
3V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
60nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 38043 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI6443DQ-T1-GE3
SI6443DQ-T1-GE3 مكونات الكترونية
SI6443DQ-T1-GE3 مبيعات
SI6443DQ-T1-GE3 المورد
SI6443DQ-T1-GE3 موزع
SI6443DQ-T1-GE3 جدول البيانات
SI6443DQ-T1-GE3 الصور
SI6443DQ-T1-GE3 سعر
SI6443DQ-T1-GE3 يعرض
SI6443DQ-T1-GE3 أقل سعر
SI6443DQ-T1-GE3 يبحث
SI6443DQ-T1-GE3 شراء
SI6443DQ-T1-GE3 رقاقة