SI7137DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
رقم القطعة
SI7137DP-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® SO-8
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
نوع فيت
P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
1.95 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
1.4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
585nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
20000pF @ 10V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
2.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±12V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 24406 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لSI7137DP-T1-GE3
SI7137DP-T1-GE3 مكونات الكترونية
SI7137DP-T1-GE3 مبيعات
SI7137DP-T1-GE3 المورد
SI7137DP-T1-GE3 موزع
SI7137DP-T1-GE3 جدول البيانات
SI7137DP-T1-GE3 الصور
SI7137DP-T1-GE3 سعر
SI7137DP-T1-GE3 يعرض
SI7137DP-T1-GE3 أقل سعر
SI7137DP-T1-GE3 يبحث
SI7137DP-T1-GE3 شراء
SI7137DP-T1-GE3 رقاقة