قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI7370ADP-T1-GE3

SI7370ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8
رقم القطعة
SI7370ADP-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® SO-8
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
10 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4.5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
70nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2850pF @ 30V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
6V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 12454 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI7370ADP-T1-GE3
SI7370ADP-T1-GE3 مكونات الكترونية
SI7370ADP-T1-GE3 مبيعات
SI7370ADP-T1-GE3 المورد
SI7370ADP-T1-GE3 موزع
SI7370ADP-T1-GE3 جدول البيانات
SI7370ADP-T1-GE3 الصور
SI7370ADP-T1-GE3 سعر
SI7370ADP-T1-GE3 يعرض
SI7370ADP-T1-GE3 أقل سعر
SI7370ADP-T1-GE3 يبحث
SI7370ADP-T1-GE3 شراء
SI7370ADP-T1-GE3 رقاقة