قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI7382DP-T1-GE3

SI7382DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
رقم القطعة
SI7382DP-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® SO-8
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.8W (Ta)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
4.7 mOhm @ 24A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
3V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
40nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 25775 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI7382DP-T1-GE3
SI7382DP-T1-GE3 مكونات الكترونية
SI7382DP-T1-GE3 مبيعات
SI7382DP-T1-GE3 المورد
SI7382DP-T1-GE3 موزع
SI7382DP-T1-GE3 جدول البيانات
SI7382DP-T1-GE3 الصور
SI7382DP-T1-GE3 سعر
SI7382DP-T1-GE3 يعرض
SI7382DP-T1-GE3 أقل سعر
SI7382DP-T1-GE3 يبحث
SI7382DP-T1-GE3 شراء
SI7382DP-T1-GE3 رقاقة