قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI7858BDP-T1-GE3

SI7858BDP-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
رقم القطعة
SI7858BDP-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® SO-8
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
5W (Ta), 48W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
12V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
2.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
1V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
84nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
5760pF @ 6V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
1.8V, 4.5V
في جي إس (الحد الأقصى)
±8V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 52548 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI7858BDP-T1-GE3
SI7858BDP-T1-GE3 مكونات الكترونية
SI7858BDP-T1-GE3 مبيعات
SI7858BDP-T1-GE3 المورد
SI7858BDP-T1-GE3 موزع
SI7858BDP-T1-GE3 جدول البيانات
SI7858BDP-T1-GE3 الصور
SI7858BDP-T1-GE3 سعر
SI7858BDP-T1-GE3 يعرض
SI7858BDP-T1-GE3 أقل سعر
SI7858BDP-T1-GE3 يبحث
SI7858BDP-T1-GE3 شراء
SI7858BDP-T1-GE3 رقاقة