قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI7946DP-T1-GE3

SI7946DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
رقم القطعة
SI7946DP-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® SO-8 Dual
أقصى القوة
1.4W
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® SO-8 Dual
نوع فيت
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
150V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
2.1A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
150 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
-
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 9736 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI7946DP-T1-GE3
SI7946DP-T1-GE3 مكونات الكترونية
SI7946DP-T1-GE3 مبيعات
SI7946DP-T1-GE3 المورد
SI7946DP-T1-GE3 موزع
SI7946DP-T1-GE3 جدول البيانات
SI7946DP-T1-GE3 الصور
SI7946DP-T1-GE3 سعر
SI7946DP-T1-GE3 يعرض
SI7946DP-T1-GE3 أقل سعر
SI7946DP-T1-GE3 يبحث
SI7946DP-T1-GE3 شراء
SI7946DP-T1-GE3 رقاقة