قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SI9933CDY-T1-GE3

SI9933CDY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
رقم القطعة
SI9933CDY-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
درجة حرارة التشغيل
-50°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
أقصى القوة
3.1W
حزمة جهاز المورد
8-SO
نوع فيت
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
4A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
58 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
1.4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
665pF @ 10V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 9661 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSI9933CDY-T1-GE3
SI9933CDY-T1-GE3 مكونات الكترونية
SI9933CDY-T1-GE3 مبيعات
SI9933CDY-T1-GE3 المورد
SI9933CDY-T1-GE3 موزع
SI9933CDY-T1-GE3 جدول البيانات
SI9933CDY-T1-GE3 الصور
SI9933CDY-T1-GE3 سعر
SI9933CDY-T1-GE3 يعرض
SI9933CDY-T1-GE3 أقل سعر
SI9933CDY-T1-GE3 يبحث
SI9933CDY-T1-GE3 شراء
SI9933CDY-T1-GE3 رقاقة