شراء Vishay Siliconix SIA416DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

SIA416DJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L

رقم القطعة

SIA416DJ-T1-GE3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

TrenchFET®

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Digi-Reel®

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

PowerPAK® SC-70-6

حزمة جهاز المورد

PowerPAK® SC-70-6 Single

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

100V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

11.3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

83 mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

3V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

10nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

295pF @ 50V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

4.5V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 45859 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

SIA400EDJ-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 12A SC-70