شراء Vishay Siliconix SIA912DJ-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

SIA912DJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6

رقم القطعة

SIA912DJ-T1-GE3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

TrenchFET®

حالة الجزء

Obsolete

التعبئة والتغليف

Digi-Reel®

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

PowerPAK® SC-70-6 Dual

أقصى القوة

6.5W

حزمة جهاز المورد

PowerPAK® SC-70-6 Dual

نوع فيت

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

12V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

4.5A

Rds On (Max) @ Id، Vgs

40 mOhm @ 4.2A, 4.5V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

1V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

11.5nC @ 8V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

400pF @ 6V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 11436 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

SIA906EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6