شراء Vishay Siliconix SIDR622DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 150V

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

SIDR622DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 150V

رقم القطعة

SIDR622DP-T1-GE3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

TrenchFET®

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

PowerPAK® SO-8

حزمة جهاز المورد

PowerPAK® SO-8DC

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

150V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

64.6A (Ta), 56.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

17.7 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4.5V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

41nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1516pF @ 75V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

7.5V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 20237 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC