قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIHF6N65E-GE3

SIHF6N65E-GE3

MOSFET N-CH 650V 6A TO220FP
رقم القطعة
SIHF6N65E-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-220-3 Full Pack
حزمة جهاز المورد
TO-220 Full Pack
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
31W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
650V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
600 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
48nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
820pF @ 100V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 26087 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIHF6N65E-GE3
SIHF6N65E-GE3 مكونات الكترونية
SIHF6N65E-GE3 مبيعات
SIHF6N65E-GE3 المورد
SIHF6N65E-GE3 موزع
SIHF6N65E-GE3 جدول البيانات
SIHF6N65E-GE3 الصور
SIHF6N65E-GE3 سعر
SIHF6N65E-GE3 يعرض
SIHF6N65E-GE3 أقل سعر
SIHF6N65E-GE3 يبحث
SIHF6N65E-GE3 شراء
SIHF6N65E-GE3 رقاقة