قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIHH14N65E-T1-GE3

SIHH14N65E-T1-GE3

MOSFET N-CH 650V 15A PWRPAK 8X8
رقم القطعة
SIHH14N65E-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-PowerTDFN
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 8 x 8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
156W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
650V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
260 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
96nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1712pF @ 100V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 18958 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIHH14N65E-T1-GE3
SIHH14N65E-T1-GE3 مكونات الكترونية
SIHH14N65E-T1-GE3 مبيعات
SIHH14N65E-T1-GE3 المورد
SIHH14N65E-T1-GE3 موزع
SIHH14N65E-T1-GE3 جدول البيانات
SIHH14N65E-T1-GE3 الصور
SIHH14N65E-T1-GE3 سعر
SIHH14N65E-T1-GE3 يعرض
SIHH14N65E-T1-GE3 أقل سعر
SIHH14N65E-T1-GE3 يبحث
SIHH14N65E-T1-GE3 شراء
SIHH14N65E-T1-GE3 رقاقة