قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SIS429DNT-T1-GE3

SIS429DNT-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 20A POWERPAK1212
رقم القطعة
SIS429DNT-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® 1212-8
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 1212-8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
27.8W (Tc)
نوع فيت
P-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
21 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
3V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
50nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1350pF @ 15V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 29239 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSIS429DNT-T1-GE3
SIS429DNT-T1-GE3 مكونات الكترونية
SIS429DNT-T1-GE3 مبيعات
SIS429DNT-T1-GE3 المورد
SIS429DNT-T1-GE3 موزع
SIS429DNT-T1-GE3 جدول البيانات
SIS429DNT-T1-GE3 الصور
SIS429DNT-T1-GE3 سعر
SIS429DNT-T1-GE3 يعرض
SIS429DNT-T1-GE3 أقل سعر
SIS429DNT-T1-GE3 يبحث
SIS429DNT-T1-GE3 شراء
SIS429DNT-T1-GE3 رقاقة