قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SISA18DN-T1-GE3

SISA18DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 38.3A 1212-8
رقم القطعة
SISA18DN-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET®
حالة الجزء
Discontinued at Digi-Key
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® 1212-8
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 1212-8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
38.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
7.5 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
21.5nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1000pF @ 15V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
+20V, -16V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 47987 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSISA18DN-T1-GE3
SISA18DN-T1-GE3 مكونات الكترونية
SISA18DN-T1-GE3 مبيعات
SISA18DN-T1-GE3 المورد
SISA18DN-T1-GE3 موزع
SISA18DN-T1-GE3 جدول البيانات
SISA18DN-T1-GE3 الصور
SISA18DN-T1-GE3 سعر
SISA18DN-T1-GE3 يعرض
SISA18DN-T1-GE3 أقل سعر
SISA18DN-T1-GE3 يبحث
SISA18DN-T1-GE3 شراء
SISA18DN-T1-GE3 رقاقة