قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SISA34DN-T1-GE3

SISA34DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A POWERPAK1212
رقم القطعة
SISA34DN-T1-GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
TrenchFET® Gen IV
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® 1212-8
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 1212-8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
20.8W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
6.7 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1100pF @ 15V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
+20V, -16V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 5444 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSISA34DN-T1-GE3
SISA34DN-T1-GE3 مكونات الكترونية
SISA34DN-T1-GE3 مبيعات
SISA34DN-T1-GE3 المورد
SISA34DN-T1-GE3 موزع
SISA34DN-T1-GE3 جدول البيانات
SISA34DN-T1-GE3 الصور
SISA34DN-T1-GE3 سعر
SISA34DN-T1-GE3 يعرض
SISA34DN-T1-GE3 أقل سعر
SISA34DN-T1-GE3 يبحث
SISA34DN-T1-GE3 شراء
SISA34DN-T1-GE3 رقاقة