شراء Vishay Siliconix SISS40DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

SISS40DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

رقم القطعة

SISS40DN-T1-GE3

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Vishay Siliconix

مسلسل

ThunderFET®

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-PowerVDFN

حزمة جهاز المورد

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

100V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

36.5A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

21 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

3.5V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

24nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

845pF @ 50V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

6V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 50385 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-