قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
SQS484ENW-T1_GE3

SQS484ENW-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 16A POWERPAK1212
رقم القطعة
SQS484ENW-T1_GE3
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tape & Reel (TR)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
PowerPAK® 1212-8
حزمة جهاز المورد
PowerPAK® 1212-8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
62.5W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
40V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
35nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1800pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 18006 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لSQS484ENW-T1_GE3
SQS484ENW-T1_GE3 مكونات الكترونية
SQS484ENW-T1_GE3 مبيعات
SQS484ENW-T1_GE3 المورد
SQS484ENW-T1_GE3 موزع
SQS484ENW-T1_GE3 جدول البيانات
SQS484ENW-T1_GE3 الصور
SQS484ENW-T1_GE3 سعر
SQS484ENW-T1_GE3 يعرض
SQS484ENW-T1_GE3 أقل سعر
SQS484ENW-T1_GE3 يبحث
SQS484ENW-T1_GE3 شراء
SQS484ENW-T1_GE3 رقاقة