قد تكون الصورة تمثيلية. راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
FGH40T120SQDNL4
IGBT, super cut-off
رقم القطعة
FGH40T120SQDNL4
فئة
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
onsemi (Ansemi)
التغليف
TO-247-4
التعبئة
Tube
عدد الطرود
450
وصف
This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) utilizes a durable and cost-effective Super Field Stop Trench structure to provide excellent performance in demanding switching applications, along with low on-state voltage and lowest switching losses. The IGBT is ideal for UPS and solar applications. The device combines a soft and fast co-encapsulation freewheeling diode with low forward voltage.
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.