The H11FXM series consists of an AlGaAs infrared emitting diode coupled to a symmetrical bi-directional silicon photodetector. The detector is galvanically isolated from the input like an ideally isolated FET, suitable for distortion-free control of low-level AC and DC analog signals. The H11FXM series devices are installed in a two-wire in-capsulation.
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.