onsemi (Ansemi)
قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
MBRA210LT3G 10V 2A 350mV@2A Schottky diodePower rectifier, 2.0 A, 10 V

MBRA210LT3G

10V 2A 350mV@2A Schottky diodePower rectifier, 2.0 A, 10 V
رقم القطعة
MBRA210LT3G
فئة
diode > Schottky diode
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
onsemi (Ansemi)
التغليف
SMA (DO-214AC)
التعبئة
taping
عدد الطرود
5000
وصف
...Using the Schottky diode potential barrier principle, a metal-silicon power diode is used. It has an epitaxial structure with oxide passivation and metal-covered contacts. Suitable for low-voltage high-frequency switching power supply, freewheeling diode and polarity protection diode. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and other applications where performance and size are critical.
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 60823 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لMBRA210LT3G
MBRA210LT3G مكونات الكترونية
MBRA210LT3G مبيعات
MBRA210LT3G المورد
MBRA210LT3G موزع
MBRA210LT3G جدول البيانات
MBRA210LT3G الصور
MBRA210LT3G سعر
MBRA210LT3G يعرض
MBRA210LT3G أقل سعر
MBRA210LT3G يبحث
MBRA210LT3G شراء
MBRA210LT3G رقاقة