onsemi (Ansemi)
قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
MBRM110ET3G 10V 1A 595mV@2A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 10 V

MBRM110ET3G

10V 1A 595mV@2A Schottky diodePower rectifier, 1.0 A, 10 V
رقم القطعة
MBRM110ET3G
فئة
diode > Schottky diode
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
onsemi (Ansemi)
التغليف
POWERMITE
التعبئة
taping
عدد الطرود
12000
وصف
POWERMITEPower encapsulation The Schottky diode uses the Schottky diode barrier principle, using barrier metal and epitaxial structure, which can produce an optimized forward voltage drop-reverse current trade-off. This advanced encapsulation technology can be used to achieve energy-efficient miniature, space-saving devices. Due to its unique thermal design, Powermite has the same thermal performance as SMA, but with a 50% smaller footprint and a height profile of < 1.1 mm, one of the smallest in the industry. Due to its small size, it is suitable for portable and battery-operated products such as cellular and cordless phones, chargers, notebook computers, printers, PDAs and PCMCIA cards. Typical applications are AC-DC and DC-DC converters, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and other applications where performance and size performance are critical.
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 89343 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لMBRM110ET3G
MBRM110ET3G مكونات الكترونية
MBRM110ET3G مبيعات
MBRM110ET3G المورد
MBRM110ET3G موزع
MBRM110ET3G جدول البيانات
MBRM110ET3G الصور
MBRM110ET3G سعر
MBRM110ET3G يعرض
MBRM110ET3G أقل سعر
MBRM110ET3G يبحث
MBRM110ET3G شراء
MBRM110ET3G رقاقة