onsemi (Ansemi)
قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
NGTD21T65F2WP Trench Field Stop 650V IGBT 650V 45A FS2 Die

NGTD21T65F2WP

Trench Field Stop 650V IGBT 650V 45A FS2 Die
رقم القطعة
NGTD21T65F2WP
فئة
Transistor/MOS tube/transistor > IGBT tube/module
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
onsemi (Ansemi)
التغليف
SMD
التعبئة
bagged
عدد الطرود
1
وصف
Utilizing a durable and cost-effective field-stop II trench structure, this insulated-gate bipolar transistor (IGBT) provides excellent performance in demanding switching applications and also offers low on-state voltage and lowest switching losses .
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 75699 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لNGTD21T65F2WP
NGTD21T65F2WP مكونات الكترونية
NGTD21T65F2WP مبيعات
NGTD21T65F2WP المورد
NGTD21T65F2WP موزع
NGTD21T65F2WP جدول البيانات
NGTD21T65F2WP الصور
NGTD21T65F2WP سعر
NGTD21T65F2WP يعرض
NGTD21T65F2WP أقل سعر
NGTD21T65F2WP يبحث
NGTD21T65F2WP شراء
NGTD21T65F2WP رقاقة