AOD11S60
MOSFET N-CH 600V 11A TO252
رقم القطعة
AOD11S60
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
aMOS™
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
حزمة جهاز المورد
TO-252, (D-Pak)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
208W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
600V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
399 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4.1V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
11nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
545pF @ 100V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±30V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 23840 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لAOD11S60
AOD11S60 مكونات الكترونية
AOD11S60 مبيعات
AOD11S60 المورد
AOD11S60 موزع
AOD11S60 جدول البيانات
AOD11S60 الصور
AOD11S60 سعر
AOD11S60 يعرض
AOD11S60 أقل سعر
AOD11S60 يبحث
AOD11S60 شراء
AOD11S60 رقاقة