CXDM1002N TR
MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89
رقم القطعة
CXDM1002N TR
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-243AA
حزمة جهاز المورد
SOT-89
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.2W (Ta)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
300 mOhm @ 2A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
2.5V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
550pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
4.5V, 10V
في جي إس (الحد الأقصى)
20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 16110 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لCXDM1002N TR
CXDM1002N TR مكونات الكترونية
CXDM1002N TR مبيعات
CXDM1002N TR المورد
CXDM1002N TR موزع
CXDM1002N TR جدول البيانات
CXDM1002N TR الصور
CXDM1002N TR سعر
CXDM1002N TR يعرض
CXDM1002N TR أقل سعر
CXDM1002N TR يبحث
CXDM1002N TR شراء
CXDM1002N TR رقاقة