شراء Diodes Incorporated DMN6013LFGQ-7 MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

DMN6013LFGQ-7

MOSFET NCH 60V 10.3A POWERDI

رقم القطعة

DMN6013LFGQ-7

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Diodes Incorporated

مسلسل

Automotive, AEC-Q101

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-PowerVDFN

حزمة جهاز المورد

PowerDI3333-8

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1W (Ta)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

60V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

10.3A (Ta), 45A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

13 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

3V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

55.4nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2577pF @ 30V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

4.5V, 10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 37672 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

DMN6013LFG-13

MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8