شراء Diodes Incorporated DMN6066SSD-13 MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

DMN6066SSD-13

MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO

رقم القطعة

DMN6066SSD-13

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Diodes Incorporated

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

أقصى القوة

1.8W

حزمة جهاز المورد

8-SO

نوع فيت

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

60V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

3.3A

Rds On (Max) @ Id، Vgs

66 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

3V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

10.3nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

502pF @ 30V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى chen_hx1688@hotmail.com، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 42736 PCS

معلومات الاتصال

منتجات ذات صله

DMN6013LFG-13

MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8