شراء GeneSiC Semiconductor MBR200150CT DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

MBR200150CT

DIODE SCHOTTKY 150V 100A 2 TOWER

رقم القطعة

MBR200150CT

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

GeneSiC Semiconductor

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Bulk

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

Twin Tower

حزمة جهاز المورد

Twin Tower

نوع الصمام الثنائي

Schottky

الجهد - للأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا

880mV @ 100A

التيار - التسرب العكسي عند Vr

3mA @ 150V

تكوين الصمام الثنائي

1 Pair Common Cathode

الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)

150V

التيار - متوسط المعدل (Io) (لكل صمام ثنائي)

100A

سرعة

Fast Recovery = 200mA (Io)

عكس وقت الاسترداد (trr)

درجة حرارة التشغيل - الوصلة

-55°C ~ 150°C

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 9453 PCS

معلومات الاتصال