شراء GeneSiC Semiconductor MBR600200CT DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

MBR600200CT

DIODE SCHOTTKY 200V 300A 2 TOWER

رقم القطعة

MBR600200CT

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

GeneSiC Semiconductor

مسلسل

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Bulk

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

Twin Tower

حزمة جهاز المورد

Twin Tower

نوع الصمام الثنائي

Schottky

الجهد - للأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا

920mV @ 300A

التيار - التسرب العكسي عند Vr

3mA @ 200V

تكوين الصمام الثنائي

1 Pair Common Cathode

الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى)

200V

التيار - متوسط المعدل (Io) (لكل صمام ثنائي)

300A

سرعة

Fast Recovery = 200mA (Io)

عكس وقت الاسترداد (trr)

درجة حرارة التشغيل - الوصلة

-55°C ~ 150°C

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 53541 PCS

معلومات الاتصال