BSC670N25NSFDATMA1
MOSFET N-CH 250V 24A 8TDSON
رقم القطعة
BSC670N25NSFDATMA1
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
OptiMOS™
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
8-PowerTDFN
حزمة جهاز المورد
PG-TDSON-8
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
150W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
250V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
67 mOhm @ 24A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 90µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2410pF @ 125V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 46303 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لBSC670N25NSFDATMA1
BSC670N25NSFDATMA1 مكونات الكترونية
BSC670N25NSFDATMA1 مبيعات
BSC670N25NSFDATMA1 المورد
BSC670N25NSFDATMA1 موزع
BSC670N25NSFDATMA1 جدول البيانات
BSC670N25NSFDATMA1 الصور
BSC670N25NSFDATMA1 سعر
BSC670N25NSFDATMA1 يعرض
BSC670N25NSFDATMA1 أقل سعر
BSC670N25NSFDATMA1 يبحث
BSC670N25NSFDATMA1 شراء
BSC670N25NSFDATMA1 رقاقة