شراء Infineon Technologies BSG0810NDIATMA1 MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

BSG0810NDIATMA1

MOSFET 2N-CH 25V 19A/39A 8TISON

رقم القطعة

BSG0810NDIATMA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

OptiMOS™

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tape & Reel (TR)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 155°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-PowerTDFN

أقصى القوة

2.5W

حزمة جهاز المورد

PG-TISON-8

نوع فيت

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

ميزة FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

25V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

19A, 39A

Rds On (Max) @ Id، Vgs

3 mOhm @ 20A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

2V @ 250µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

8.4nC @ 4.5V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1040pF @ 12V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 41861 PCS

معلومات الاتصال