شراء Infineon Technologies BSM75GB170DN2HOSA1 IGBT 1700V 110A 625W MODULE

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

BSM75GB170DN2HOSA1

IGBT 1700V 110A 625W MODULE

رقم القطعة

BSM75GB170DN2HOSA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

حالة الجزء

Obsolete

درجة حرارة التشغيل

150°C (TJ)

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

Module

أقصى القوة

625W

إعدادات

Half Bridge

حزمة جهاز المورد

Module

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

110A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

1700V

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

نوع اي جي بي تي

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 75A

سعة الإدخال (Cies) @ Vce

11nF @ 25V

مدخل

Standard

إن تي سي الثرمستور

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 48189 PCS

معلومات الاتصال