شراء Infineon Technologies BSZ22DN20NS3GATMA1 MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

جداول البيانات

BSZ22DN20NS3GATMA1

MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON

رقم القطعة

BSZ22DN20NS3GATMA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

OptiMOS™

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Cut Tape (CT)

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

8-PowerTDFN

حزمة جهاز المورد

PG-TSDSON-8

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

34W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

200V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

225 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 13µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

5.6nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

430pF @ 100V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 21634 PCS

معلومات الاتصال