شراء Infineon Technologies DF200R12KE3HOSA1 IGBT MODULE VCES 1200V 200A

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

DF200R12KE3HOSA1

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

رقم القطعة

DF200R12KE3HOSA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

حالة الجزء

Active

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 125°C

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

Module

أقصى القوة

1040W

إعدادات

Single

حزمة جهاز المورد

Module

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

1200V

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

5mA

نوع اي جي بي تي

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 200A

سعة الإدخال (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

مدخل

Standard

إن تي سي الثرمستور

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 11416 PCS

معلومات الاتصال