شراء Infineon Technologies FD-DF80R12W1H3_B52 IGBT MODULE VCES 1200V 40A

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

FD-DF80R12W1H3_B52

IGBT MODULE VCES 1200V 40A

رقم القطعة

FD-DF80R12W1H3_B52

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

حالة الجزء

Active

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 125°C

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

Module

أقصى القوة

215W

إعدادات

Single

حزمة جهاز المورد

Module

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

40A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

1200V

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

1mA

نوع اي جي بي تي

Trench Field Stop

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

سعة الإدخال (Cies) @ Vce

235nF @ 25V

مدخل

Standard

إن تي سي الثرمستور

Yes

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 28036 PCS

معلومات الاتصال