شراء Infineon Technologies FF650R17IE4DPB2BOSA1 IGBT MODULE VCES 1700V 650A

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

FF650R17IE4DPB2BOSA1

IGBT MODULE VCES 1700V 650A

رقم القطعة

FF650R17IE4DPB2BOSA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

حالة الجزء

Active

درجة حرارة التشغيل

-40°C ~ 150°C

نوع التركيب

Chassis Mount

الحزمة / القضية

Module

أقصى القوة

إعدادات

2 Independent

حزمة جهاز المورد

Module

الحالي - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)

650A

الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)

1700V

التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)

5mA

نوع اي جي بي تي

Trench Field Stop

Vce(on) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 650A

سعة الإدخال (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

مدخل

Standard

إن تي سي الثرمستور

Yes

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 43340 PCS

معلومات الاتصال