شراء Infineon Technologies IPC26N12NX1SA1 MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

IPC26N12NX1SA1

MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL

رقم القطعة

IPC26N12NX1SA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

OptiMOS™

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

Die

حزمة جهاز المورد

Sawn on foil

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

120V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

1A (Tj)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

100 mOhm @ 2A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 244µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 49070 PCS

معلومات الاتصال