شراء Infineon Technologies IPI024N06N3GXKSA1 MOSFET N-CH 60V 120A

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

IPI024N06N3GXKSA1

MOSFET N-CH 60V 120A

رقم القطعة

IPI024N06N3GXKSA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

OptiMOS™

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tube

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

الحزمة / القضية

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

حزمة جهاز المورد

PG-TO262-3

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

250W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

60V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

120A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

2.4 mOhm @ 100A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 196µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

275nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

23000pF @ 30V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 51527 PCS

معلومات الاتصال