قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IPI034NE7N3 G

IPI034NE7N3 G

MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
رقم القطعة
IPI034NE7N3 G
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
OptiMOS™
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
الحزمة / القضية
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
حزمة جهاز المورد
PG-TO262-3
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
214W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
75V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
3.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
3.8V @ 155µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
117nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
8130pF @ 37.5V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
-
في جي إس (الحد الأقصى)
-
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 54477 PCS
معلومات الاتصال
الكلمات الرئيسية لIPI034NE7N3 G
IPI034NE7N3 G مكونات الكترونية
IPI034NE7N3 G مبيعات
IPI034NE7N3 G المورد
IPI034NE7N3 G موزع
IPI034NE7N3 G جدول البيانات
IPI034NE7N3 G الصور
IPI034NE7N3 G سعر
IPI034NE7N3 G يعرض
IPI034NE7N3 G أقل سعر
IPI034NE7N3 G يبحث
IPI034NE7N3 G شراء
IPI034NE7N3 G رقاقة