شراء Infineon Technologies IPI600N25N3GAKSA1 MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

IPI600N25N3GAKSA1

MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3

رقم القطعة

IPI600N25N3GAKSA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

OptiMOS™

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tube

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

حزمة جهاز المورد

PG-TO262-3

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

136W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

250V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

25A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

60 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 90µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

29nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2350pF @ 100V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 43713 PCS

معلومات الاتصال