شراء Infineon Technologies IPI70N10S312AKSA1 MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3

الصين
مورد المكونات الإلكترونية المهنية

الكتالوجات الشركات المصنعة رقائق CN

قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.

عرض المزيد من المعلومات جداول البيانات

IPI70N10S312AKSA1

MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3

رقم القطعة

IPI70N10S312AKSA1

الشركة المصنعة/العلامة التجارية

Infineon Technologies

مسلسل

OptiMOS™

حالة الجزء

Active

التعبئة والتغليف

Tube

تكنولوجيا

MOSFET (Metal Oxide)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 175°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

الحزمة / القضية

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

حزمة جهاز المورد

PG-TO262-3

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

125W (Tc)

نوع فيت

N-Channel

ميزة FET

استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)

100V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية

70A (Tc)

Rds On (Max) @ Id، Vgs

11.6 mOhm @ 70A, 10V

Vgs(ال) (ماكس) @ معرف

4V @ 83µA

رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

66nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

4355pF @ 25V

جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)

10V

في جي إس (الحد الأقصى)

±20V

طلب اقتباس

يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.

في الأوراق المالية 23974 PCS

معلومات الاتصال