IRF100S201
MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
رقم القطعة
IRF100S201
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HEXFET®, StrongIRFET™
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Digi-Reel®
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
D²PAK (TO-263AB)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
441W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
4.2 mOhm @ 115A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
255nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
9500pF @ 50V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 22459 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIRF100S201
IRF100S201 مكونات الكترونية
IRF100S201 مبيعات
IRF100S201 المورد
IRF100S201 موزع
IRF100S201 جدول البيانات
IRF100S201 الصور
IRF100S201 سعر
IRF100S201 يعرض
IRF100S201 أقل سعر
IRF100S201 يبحث
IRF100S201 شراء
IRF100S201 رقاقة