IRF5810TRPBF
MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP
رقم القطعة
IRF5810TRPBF
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
HEXFET®
حالة الجزء
Obsolete
التعبئة والتغليف
Cut Tape (CT)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
أقصى القوة
960mW
حزمة جهاز المورد
6-TSOP
نوع فيت
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
20V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
2.9A
Rds On (Max) @ Id، Vgs
90 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
1.2V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9.6nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
650pF @ 16V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 34752 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIRF5810TRPBF
IRF5810TRPBF مكونات الكترونية
IRF5810TRPBF مبيعات
IRF5810TRPBF المورد
IRF5810TRPBF موزع
IRF5810TRPBF جدول البيانات
IRF5810TRPBF الصور
IRF5810TRPBF سعر
IRF5810TRPBF يعرض
IRF5810TRPBF أقل سعر
IRF5810TRPBF يبحث
IRF5810TRPBF شراء
IRF5810TRPBF رقاقة