قد تكون الصورة تمثيلية.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
راجع المواصفات للحصول على تفاصيل المنتج.
IRF510SPBF
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
رقم القطعة
IRF510SPBF
الشركة المصنعة/العلامة التجارية
مسلسل
-
حالة الجزء
Active
التعبئة والتغليف
Tube
تكنولوجيا
MOSFET (Metal Oxide)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
الحزمة / القضية
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
حزمة جهاز المورد
D2PAK
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
نوع فيت
N-Channel
ميزة FET
-
استنزاف لمصدر الجهد (Vdss)
100V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) عند 25 درجة مئوية
5.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id، Vgs
540 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(ال) (ماكس) @ معرف
4V @ 250µA
رسوم البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
8.3nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
180pF @ 25V
جهد القيادة (الحد الأقصى للطرق، الحد الأدنى للطرق)
10V
في جي إس (الحد الأقصى)
±20V
طلب اقتباس
يرجى إكمال جميع الحقول المطلوبة والنقر على "إرسال"، وسنتصل بك خلال 12 ساعة عبر البريد الإلكتروني. إذا كانت لديك أي مشكلة، فيرجى ترك رسائل أو إرسال بريد إلكتروني إلى [email protected]، سوف نقوم بالرد في أقرب وقت ممكن.
في الأوراق المالية 35107 PCS
معلومات الاتصال
منتجات ذات صله
الكلمات الرئيسية لIRF510SPBF
IRF510SPBF مكونات الكترونية
IRF510SPBF مبيعات
IRF510SPBF المورد
IRF510SPBF موزع
IRF510SPBF جدول البيانات
IRF510SPBF الصور
IRF510SPBF سعر
IRF510SPBF يعرض
IRF510SPBF أقل سعر
IRF510SPBF يبحث
IRF510SPBF شراء
IRF510SPBF رقاقة